Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs

Opisano stany elektronowe tranzystora jednoelektronowego (SET), formowanego w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs. Stany elektronowe są samouzgodnionymi rozwiązaniami równania Schrodingera w przybliżeniu Hartree. Rozkład potencjału w tranzystorze jest rozwiązaniem równania Poissona, dla danego zestawu napięć polaryzujących strukturę.

---

In the work we present electron states of a single electron transistor (SET) formed in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure. Electron states are selfconsistent solutions of Schrodinger equation, written within Hartree approximation. Potential distribution through the transistor is the solution of Poisson equation, for a given set of voltages, biasing the structure.