Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS

Zamieszczono wyniki badań zależności podstawowych parametrów elektrycznych struktur MOS od temperatury. Mierzone struktury różniły się od siebie parametrem R, definiowanym jako stosunek obwodu bramki do jej powierzchni. Wyniki badań wykazały silną zależność napięcia płaskich pasm UFB i napięcia przecięcia Ux od wartości parametru R i od temperatury.

---

In this paper we present results of our investigation of the dependence of basic electrical parameters of MOS devices on temperature. The measured structures differed widely in their perimeter to area ratio R. Measurement results indicate strong dependence the flat-band voltage VFB and the crossover voltage Vx on the R value and on the temperature.