Alternatywne materiały w technologii ogniw słonecznych

W artykule omówiono stan zaawansowania technologii cienkowarstwowych ogniw słonecznych, które są alternatywą dla technologii ogniw opartych na krzemie krystalicznym. Uzyskiwane obecnie sprawności ogniw z wykorzystaniem krzemu amorficznego, tellurku kadmu, polikrzemu, dwutlenku tytanu uczulanego barwnikami są analizowane w świetle możliwości produkcji masowej tych ogniw. Najwięcej miejsca poświęcono omówieniu właściwości ogniw opartych na chalkopirytach Cu(ln,Ga)(Se,S)2, nazywanych CIS lub CIGS. Opisano typową heterostrukturę n-CdS/p-CulnSe2 wykorzystując model Andersona. Omówiono również zwięźle rozwijane w Katedrze Elektroniki AGH technologie otrzymywania warstwy absorbera (chalkopirytu) i bufora (CdS), dwu podstawowych składników struktury ogniwa. W podsumowaniu podano perspektywy dalszego postępu prac nad ogniwami CIS.

---

Advances in the technology of thin film solar cells, an alternative to crystalline silicon solar cells., have been reviewed. Recently obtained efficiencies for the cells based on amorphous silicon, cadmium teiluride, polysilicon, dye-sensitized TiO2 are discussed in view of maturity of the technology for starting production. Special stress was placed on the cells based on chalkopyrites Cu(ln,Ga)(Se,S)2, known as CIS or CIGS solar cells. The properties of a typical n-CdS/p-CulnSe2 heterostructure are discussed within the Anderson model. Technologies of the absorber (chalcopyrite) and bufor (CdS) layers developed in the Department of Electronics, University of Mining and Metallurgy, are shortly described. Perspectives of further progress in the technology of CIS solar cells are also discussed.