Określenie mechanizmów krystalizacji w procesie MBE trójskładnikowych związków Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg). Część I - Metody analizy procesów powierzchniowych

Artykuł stanowi pierwszą część obszernego streszczenia rozprawy doktorskiej pod tytułem „Określenie mechanizmów krystalizacji w procesie MBE trójskładnikowych związków Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg)", opracowanej na postawie badań prowadzonych przez autora w Laboratorium MBE Instytutu Technologii Próżniowej w Warszawie, w latach 1996 -1998. Opisano także techniki diagnostyczno-pomiarowe zastosowane w badaniach procesów powierzchniowych zachodzących podczas wzrostu warstw epitaksjalnych w warunkach bardzo wysokiej próżni, to jest: odbiciową spektrometrię mas (REMS), odbiciową dyfrakcję elektronów wysokoenergetycznych (RHEED) oraz interferometrię laserową (LI). Przeprowadzone w ramach pracy doktorskiej eksperymenty oraz wyniki naukowe uzyskane w ich toku zostaną zaprezentowane w następnym artykule, który ukarze się w kolejnym numerze czasopisma Elektronika.

---

This paper is the first part of an extended abstract of the PhD thesis entitled „Determining of the growth mechanisms in MBE growth of ternary Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg) compounds" written on the base of experiments performed in the MBE Lab. in Institute of Vacuum Technology, Warsaw. In that paper, the scientific problems to be solved in thesis are described. Also the analytical techniques [reflection quadrupole mass spectrometry (REMS), reflection high-energy electron diffraction (RHEED), and laser interferometry (LI)] used in investigation and its implementation to „in situ" measurements in MBE growth system are depicted. The experiments and extracted scientific results will be presented in the following paper, in next Elektronika issue.