Określenie mechanizmów krystalizacji w procesie MBE trójskładnikowych związków Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg). Część 2 - Optymalizacja procesu wzrostu

Artykuł jest drugą częścią obszernego streszczenia rozprawy doktorskiej opracowanej na postawie badań prowadzonych przez autora w Instytucie Technologii Próżniowej w Warszawie, w latach 1996 — 1998. Przedstawiono wyniki dotyczące badań wpływu temperatury w procesie krystalizacji warstw trójskładnikowych metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), zależności składu chemicznego warstw trójskładnikowych od temperatury ich krystalizacji oraz różnic w procesach powierzchniowych przy krystalizacji warstw II—VI metodami MBE i UHV ALE (epitaksji warstw atomowych). Uzyskane wyniki mogą zostać użyte do optymalizacji procesu wzrostu trójskładnikowych warstw półprzewodnikowych z grupy II—VI w procesie epitaksji prowadzonym w warunkach ultrawysokiej próżni.

---

This paper is the second part of an extended abstract of the PhD thesis entitled "Determining of the growth mechanisms in MBE growth of ternary Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg) compounds" written on the base of experiments performed in the MBE Lab. in Institute of Vacuum Technology, Warsaw. In that paper, the main experiments concerning following problems: temperaturę window in MBE (Molecular Beam Epitaxy) growth of ternaries, dependence between chemical composition and growth temperature for ternary layers and differences in growth processes of U—VI compounds in MBE and UHV ALE (Ultra-high Vacuum Atomie Layer Epitaxy) growth processes are described. The results can be useful in optimisation of the ultra-high vacuum epitaxial growth of ternary II—VI compounds in order to improve their structural quality.