Model dyfuzji fosforu w krzemie wykorzystywany do wyznaczania profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej ogniwa słonecznego

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad modelowaniem profilu koncentracji w warstwie emiterowej ogniwa fotowoltaicznego. Prawidłowo uformowany profil koncentracji decyduje o parametrach złącza n + -p, co w konsekwencji wpływa na ostateczną sprawność konwersji fotowoltaicznej. Niemniej ważną właściwością warstwy emiterowej powinna być możliwość wykonania na jej powierzchni elektrody "zbierającej" o dobrej jakości kontaktu metal-półprzewodnik. W związku z tym, w trakcie prac technologicznych, wystąpiła konieczność właściwego doboru parametrów procesu domieszkowania, takich jak: temperatura, czas, rodzaj źródła domieszki, w celu uzyskania pożądanych cech warstwy emiterowej. W niniejszym artykule zostanie zaprezentowany model procesu dyfuzji fosforu w krzemie pozwalający na wyznaczenie profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej struktury fotowoltaicznej.

---

This paper presents the results of work on calculating the profile of dopant concentration in the emitter layer of solar cell. The emitter formation is one of the crucial steps in the manufacturing process of silicon solar cells. The p-n junction - which owing to the characteristics of light absorption should be formed at a close, strictly specified distance from the cell's surface - is formed at relatively low temperatures and short diffusion times. This article presents the results of the research performed on the model enabling the calculation of the emitter layer profile, using diffusion process parameters only. The measure results of real diffusion layers were compared with the simulation.