Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Supersieci ze związków InAs/GaInSb krystalizowane na podłożu z GaSb umożliwiają wytwarzanie detektorów podczerwieni pracujących w zakresie widmowym 3...25 µm. Supersieci te stanowią atrakcyjną alternatywę dla związków HgCdTe. Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji oraz z otrzymywaniem skokowych obszarów międzyfazowych w supersieciach. Odrębne zagadnienia dotyczą technologii struktur, prowadzącej do wykonania detektorów oraz ich pasywacji.

---

InAs/GaInSb based superlattices grown on GaSb substrates can be used for fabrication of infrared detectors operating in 3...25 µm spectral range. The superlattices are attractive alternative for HgCdTe compounds. Technology of InAs/GaInSb superlattices is far to be well established. Main difficulties are related to wafer preparation before eptiaxy and superlattice interface quality. Processing, passivation and assembling of detectors are permanently developed.