Tytuł pozycji:
Etching of Si(100) and (110) substrates in KOH solutions saturated and son-saturated with isopropyl alcohol
The process of silicon anisotropic etching in KOH solutions saturated with isopropyl alcohol (IPA) is currently the most frequently used process in silicon micromachining. In the work, the results of etching in KOH solutions with the IPA content below saturation lewel have been presented. On the basis of literature considerations of the phenomena occurring in water-alcohol solutions and the results of performed experiments, an analysis of the mechanism of Si substrates etching in KOH+IPA solutions with different compositions has been carried out.
Anizotropowe trawienia krzemu w roztworach KOH nasyconych alkoholem izopropylowym jest procesem obecnie najczęściej wykorzystywanym do wytwarzania mikrosystemów krzemowych. W pracy przedstawiono rezultaty trawienia w roztworach KOH zawierających IPA poniżej poziomu nasycenia. Na podstawie opisywanych w literaturze zjawisk obserwowanych w roztworze woda - alkohol i rezultatów przeprowadzonych eksperymentów, przedstawiono rozważania dotyczące mechanizmu trawienia podłoży krzemowych w roztworach KOH - HPA o różnych składach.