Tytuł pozycji:
Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych
- Tytuł:
-
Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych
- Autorzy:
-
Szyszka, A.
Macherzyński, W.
Prażmowska, J.
Wośko, M.
Stafiniak, A.
Gryglewicz, J.
Ramiączek-Krasowska, M.
Paszkiewicz, B.
Jankowski, B.
Ściana, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
- Data publikacji:
-
2012
- Słowa kluczowe:
-
skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego
skaningowa mikroskopia rezystancji rozproszonej
obrazowanie fazowe
azotek galu
arsenek galu
Scanning Surface Potential Microscopy
Scanning Spreading Resistance Microscopy
phase imaging
gallium nitride
gallium arsenide
- Język:
-
polski
- Dostawca treści:
-
BazTech
-
Przejdź do źródła Link otwiera się w nowym oknie
W pracy przedstawione zostały wyniki charakteryzacji lokalnych właściwości detektorów MSM (Metal-Semiconductor-Metal) oraz rezystancyjnych wytworzonych w warstwach GaN, struktur tranzystorów unipolarnych wykonanych w warstwach azotku galu, cienkich warstw metali katalitycznych, heterostruktur AlAs/AIGaAs/GaAs oraz powierzchni węglika krzemu wykonanych różnymi trybami mikroskopii sił atomowych. Badania zostały przeprowadzone metodami Skaningowej Mikroskopii Potencjału Powierzchniowego SSPM (ang. Scanning Surface Potential Microscopy), Skaningowej Mikroskopii Rezystancji Rozproszonej SSRM (ang. Scanning Spreading Resistance Microscopy) oraz obrazowania fazowego.
In this work characterization results of MSM (metal-semiconductor-metal) and resistive detectors fabricated in gallium nitride layers, GaN based unipolar transistors, thin catalytic metal layers, AlAs/AIGaAs/GaAs heterostructures and silicon carbide surface by various techniques of atomic force microscopy are presented. The examinations were performed by Scanning Surface Potential Microscopy (SSPM), Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) and in phase imaging mode.
