Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku U FB w strukturach MOS

Tytuł:
Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku U FB w strukturach MOS
Autorzy:
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:
2008
Słowa kluczowe:
napięcie wyprostowanych pasm
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
W pracy om ówiono wyniki pomiarów lokalnych wartości napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku UFB w strukturach MOS. Temat ten jest kontynuacją prac prowadzonych w naszym zakładzie nad zagadnieniem pomiaru rozkładów przestrzennych parametrów elektrycznych struktur MOS w płaszczyźnie powierzchni metalowej bramki. We wcześniejszych pracach [1-5] wykazano, że lokalne wartości niektórych parametrów mają charakterystyczny kopułowaty kształt rozkładu w płaszczyźnie powierzchni bramki. Rozkłady te przypisywane są w głównej mierze wpływowi naprężeń mechanicznych, które panują w tlenku pod powierzchnią metalowej bramki. Pomiary lokalnych wartości napięcia UFB umożliwione zostały poprzez modyfikację fotoelektrycznej metody LPT (Light Pulse Technique), metoda ta polega na oświetleniu struktury modulowanym światłem i pomiarze odpowiedzi struktury przy zmieniającym się napięciu polaryzacji bramki UG. Modyfikacja metody polegała na zastosowaniu małej (w porównaniu z rozmiarami bramki) plamki światła i skanowaniu powierzchni bramki tą plamką mierząc wartość lokalną danego parametru. Pomiary wykonane zostały na różnych techologicznie strukturach Al-SiO2-Si i we wszystkich przypadkach otrzymane rozkłady przestrzenne napięcia UFB(x,y) w płaszczyźnie powierzchni bramki mają charakterystyczny kształt z wartościami najwyższymi na środku, mniejszymi na krawędziach oraz najmniejszymi w rogach metalowej bramki.
One of the most important parameters of the MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) structure is the effective contact potential difference φMS between the gate and the substrate. The φMS is also a component of the flat-band voltage VFB and strongly influences the threshold voltage VT of MOS transistors. The photoelectric measurement method of the ƒMS value, worked out in our laboratory, allows very accurate and extremely sensitive determination of this value. This method was subsequently modified to allow determination of ƒMS(x,y) distributions of local φMS values over gate areas of MOS systems. Recently, we have developed, a new, high precision photoelectric measurement method which allows determination of the flat-band voltage VFB(x,y) distributions over the MOS structure gate area. This method, called SLPT (Scanning Light Pulse Technique) consists in scanning the gate area with a light spot which is small in comparison with gate dimensions. It was found that in AI-SiO2-Si structures the VFB(x,y) distribution is non-uniform, with highest values in the middle of a square gate and lowest in the vicinity of gate corners.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies