Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów i identyfikacji podstawowych parametrów statycznych tranzystorów typu FinFET. Szczególną uwagę zwrócono na wielkości prądu drenu w stanie słabej inwersji i prądu upływności bramki ważnych z punktu widzenia wytwarzania szybkich i energooszczędnych układów scalonych.

---

The paper presents the results of measurements and extraction of basic FinFET parameters. Special attention is paid to drain-to-source leakage current and gate leakage current, important from the point of view of fast, low-power integrated circuits fabrication.