Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Sobańska, M.
Łusakowska, E.
Kłosek, K.
Borysiuk, J.
Wierzbicka, A.
Reszka, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
plazmowe źródło azotu
krzem
Si(111)
gallium nitride
molecular beam epitaxy
nitrogen plasma source
Język:: polski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.

In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.

Informacja

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu