Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

W pracy omówiono metodę określenia optymalnych parametrów procesu wzrostu warstw azotku galu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Przedstawiono również metodę kontroli parametrów pracy źródła plazmowego. Przeprowadzone doświadczenia doprowadziły do precyzyjnej kontroli proporcji Ga/N na powierzchni rosnącej warstwy, co pozwoliło na uzyskanie stabilnego dwuwymiarowego wzrostu warstw GaN o wysokiej jakości.

---

A method that allows determination of optimal conditions of growing GaN epilayers by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source is presented. A way of controlling parameters of the nitrogen plasma source is also discussed. Procedure elaborated allowed precise adjustment of Ga/N ratio on the surface of growing layer, which is crucial for stable, two-dimensional growth of high quality GaN layers.