Wpływ wewnętrznego lustra na wydajność kwantową fotoogniw wytwarzanych w oparciu o krzemowe warstwy lateralne

W pracy przedstawiono rezultaty badań krzemowych ogniw słonecznych, wytwarzanych za pomocą, epitaksji z fazy ciekłej LPE (Liquid Phase Epitaxy). Epitaksja z fazy ciekłej pozwala w ekonomiczny sposób uzyskiwać cienkie monokrystaliczne warstwy, które mają również zastosowania w fotowoltaice. W prowadzonych badaniach zastosowano pewną modyfikację klasycznej metody LPE - wzrost na częściowo maskowanym dielektrykiem podłożu krzemowym. Taki sposób nosi nazwę epitaksji lateralnej ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) i pozwala na uzyskanie warstw o znacznie mniejszej gęstości defektów w stosunku do gęstości defektów w podłożu wzrostowym [1], co więcej warstwa dielektryka obecna wewnątrz struktury fotoogniwa stanowi lustro dla niezaabsorbowanych fotonow, co pozwala na wydłużenie ich drogi optycznej. W pracy porównano wpływ wewnętrznego lustra z dielektryka SiO₂ na wydajność kwantową, badanych fotoogniw.

---

This work contains research of silicon thin film solar cells obtained from a lateral overgrowth liquid phase epitaxy (LPE). Liquid phase epitaxy is an economic method that enables to produce thin, monocrysallic films for photovoltaic applications. Presented research are based on some modification of the LPE method - it uses partially masked by dielectric, growing silicon substrates. This modification is called epitaxial lateral overgrowth (ELO) and enables to obtain lower defects density in a growing layer comparing to a growing substrate [1]. Moreover dielectric layer inside a solar cell structure forms an inner mirror for photons which are not absorbed in the active layer. This work presents influence of the inner mirror formed from SiO₂ efficiency of the solar cells.