Detektory średniej podczerwieni (MIR) na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Artykuł przedstawia wyniki badań średniofalowych detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Badania te prowadzone są w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007. Podstawę do konstrukcji fotodiod stanowią struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ - MNiSW 02/I/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

---

This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids - type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.