Elipsometryczna metoda określania naprężeń w strukturach MOS

Analiza widm optycznych dostarcza wielu cennych informacji na temat właściwości fizycznych materiałów. W tym celu stosuje się funkcję dielektryczną, opisującą wpływ zewnętrznego pola elektrycznego na optyczne właściwości materiałów półprzewodnikowych. W pracy tej do analizy widm zespolonej funkcji dielektrycznej, zarówno implantowanego, jak i nie implantowanego krzemu, posłużyła elipsometria spektroskopowa w połączeniu z modelem pochodnych ułamkowych FDS (Fractional Derivatives Spectrum). Dokładne wyekstrahowanie parametrów punktów krytycznych przy użyciu tych dwóch metod stało się pomocne przy określeniu naprężeń mechanicznych w warstwie półprzewodnika struktury MOS.

---

Optical spectra analysis provides a wealth of information on physical properties of various semiconductor materials. Fractional Derivative Spectrum (FDS) technique is especially interesting when the limitations of the standard treatment are occurred. In this paper we present the FDS with spectroscopic ellipsometry method for analyze of the optical spectra of silicon surfaces (after oxidation, after implantation and high pressure-high temperature treatment). On the basis of extracted Van Hove singularities by FDS and SE methods, the stresses in the semiconductor layer of MOS strucutre were determined.