Wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod Schottky'ego mocy

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod mocy. Porównano zarówno izotermiczne, jak i nieizotermiczne charakterystyki diod Schottky'ego, wykonanych w tradycyjnej technologii krzemowej oraz w nowoczesnej technologii bazującej na węgliku krzemu. Pomierzone dla zakresu zaporowego charakterystyki diod Schottky'ego porównano także z charakterystykami katalogowymi. Wyznaczono wartości wybranych parametrów elektrycznych.

---

In this paper the influence of the temperature on d.c. characteristics of the Schottky diodes has been investigated. The characteristics of the silicon Schottky diode and silicon carbide (SiC) Schottky diodes were measured at the broad range of the ambient temperature. Measured characteristics in the reverse range have been compared with the catalog's characteristics. The parameter values of the Schottky diodes were extracted.