Napięcia zakłóceń w obwodach łączników półprzewodnikowych

W artykule przedstawiona została metoda określania napięć zakłóceń powstających w wyniku zaburzeń powodowanych pracą łączników półprzewodnikowych. Podstawą opracowanej metody jest założenie, że napięcia zakłóceń określane są przy użyciu układu pomiarowego o znormalizowanych parametrach. Zamodelowano człony układu pomiarowego oraz określono harmoniczne przebiegu zaburzającego przy użyciu transformaty DFT. Z wykorzystaniem opracowanej metody obliczono napięcia zakłóceń powstające w obwodach łączników półprzewodnikowych dla przypadku impulsów zaburzających o zmiennych amplitudach i czasach trwania. Całość podsumują wnioski.

---

A method of determination of disturbance voltages being a result of perturbations caused by semiconductor switches at work is presented in the paper. The basis of this method is formed by the assumption that disturbance voltages are determined using a measuring system with normalized parameters. Components of the measuring system have been modeled and harmonics of the disturbance waveform have been determined using DFT. The presented method has been used for calculation of disturbance voltages that occur in circuits with semiconductor switches when the amplitudes and time of existence of the perturbation impulses vary.