Oxide layers on implanted GaAs surfaces: X-ray photoelectron spectroscopy and ellipsometry study

The chemical composition of an oxide on the GaAs surface implanted with Xe and Ar ions at various doses was studied by x-ray-photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that only the dose of the introduced admixtures, and thereby the number of occurring defects can influence the kind of oxide covering surface. From the ellipsometric measurements it was found that the layer thickness of the oxide on the GaAs surface increases monotonically with the increasing dose implanted and reaches a certain saturation level for the samples exposed to ions at an amorphizing dose.

---

Metodą XPS badano skład chemiczny tlenku na powierzchni GaAs implantowanego różnymi dawkami jonów Ar i Xe. Stwierdzono, że dawka jonów powodująca amorfizację warstwy domieszkowanej ma wpływ na rodzaj tlenku pokrywającego badane powierzchnie. Na podstawie badań elipsometrycznych stwierdzono, że grubość warstwy tlenku na powierzchni GaAs wzrasta wraz ze wzrostem dawki wprowadzonej domieszki i osiąga pewne nasycenie dla próbek naświetlanych dawką amorfizującą.