Modification of temperature dependence of manganin resistance using the ion implantation techniques

The problem of the improvement of the resistance dependence on temperature of manganin pressure sensor is discussed. Using 46 MeV 40Ar and 118 MeV 136Xe ions with the fluences of 3x1013 and 2.5x1014 cm-2, respectively, a clear shift of the characteristic temperature, at which the manganin resistance reaches its maximum value, toward lower values and a small increase of pressure sensitivity have been observed.

---

Omówiono problem polepszenia zależności od temperatury rezystancji manganinu, który jest używany jako czujnik wysokich ciśnień. Zaobserwowano, że po napromieniowaniu manganinu jonami 40Ar o energii 46 MeV (doza 3x1013 cm-2) oraz jonami 136Xe o energii 118 MeV (doza 2.5x1014 cm-2) następuje wyraźne przesunięcie temperatury charakterystycznej, przy której rezystancja manganinu osiąga wartość maksymalną.