Simulation of the process of high dose ion implantation in solid targets

The theoretical approach and physico-mathematical model for the process of the high dose ion implantation are developed. The model, involved, makes it possible to take into account a set of the following effects: scattering of the being implanted ions on the atoms introduced at the earlier stages; sputtering of the target surface by ion beams; as well as the target swelling with a valid account for influence of mobile boundary. The simulation of ion implantation processes into crystals was performed on the basis of Monte-Carlo method.

---

Opracowano teoretyczną metodę i matematyczno-fizyczny model dla procesów implantacji dużymi dawkami. Ten model umożliwia uwzględnienie następujących efektów: rozpraszanie implantowanych jonów na wprowadzonych wcześniej atomach, rozpylanie powierzchni tarczy jak również puchnięcie tarczy z uwzględnieniem ruchomej powierzchni. Symulacje procesów implantacji jonowej do kryształów były prowadzone metodą Monte-Carlo.