Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

W artykule zaprezentowano analizę wpływu czynników konstrukcyjno- technologicznych (dokładność fotolitografii, głębokość i profil domieszkowania złączy p-n, parametry warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik, właściwości użytego dielektryka), które są krytyczne z punktu widzenia parametrów elektrycznych tranzystorów MOS mocy (napięcie przebicia, napięcie progowe, maksymalny prąd drenu, prąd upływu przy polaryzacji zaporowej).

---

This article presents an analysis of the impact of design and technological factors (photolitography accuracy, p-n junction doping depth and profile, dielectric/semiconductor interface parameters, gate dielectric properties) that are crucial in terms of electrical parameters of power MOSFETs like breakdown voltage, threshold voltage, maximum drain current, leakage current at reverse bias).