Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Optical identification of crystal defects in CCD matrix

Tytuł:
Optical identification of crystal defects in CCD matrix
Autorzy:
Popowicz, A.
Data publikacji:
2013
Słowa kluczowe:
matryca CCD
defekt w półprzewodniku
prąd ciemny
CCD matrix
semiconductor defects
dark current
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
An original idea of semiconductor defects identification in CCD matrix was presented in the article. The procedure is simple and easy to execute because of no need for special and expensive equipment. The method classifies defects into two groups: the point defects and the spatial defects (dislocations). During the experiments it was proven that the type of defect affects the behavior of the dark current generation during the light gathering .
Celem artykułu jest zaprezentowanie oryginalnego pomysłu identyfikacji typów defektów struktury krystalicznej czujników światła jakimi są matryce CCD. Procedura jest nieskomplikowana i możliwa do przeprowadzenia bez specjalistycznej i drogiej aparatury. Metoda ta umożliwia rozróżnienie defektów na: punktowe oraz defekty przestrzenne – dyslokacje. Podczas badań wykazano również, iż typ defektu wpływa na zachowanie generacji prądu ciemnego podczas rejestracji światła.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies