Numeryczna analiza konwersji mocy pompującej w laserze typu VECSEL

W pracy przedstawiono wyniki modelowania zjawisk fizycznych związanych z transportem nośników oraz wzmocnieniem materiałowym w optycznie pompowanym laserze typu VECSEL wykonanym w systemie materiałowym GaInNAs/GaAs pracującym na fali o długości 1,32 μm. W szczególności dokonano analizy wykorzystania mocy pompującej, strat nośników oraz wkładu poszczególnych studni kwantowych do całkowitego wzmocnienia generowanego w obszarze czynnym. Otrzymane wyniki mogą stanowić wstęp do dalszych badań mających na celu optymalizację konstrukcji przyrządów tego typu.

---

The paper presents results of numerical modeling of physical processes connected with the carrier transport and material gain in the optically pumped GaInNAs/GaAs VECSEL operating at 1.32 μm. Especially the analysis of pumping power conversion, carrier losses and contribution of individual quantum wells to the overall gain generated in the active region has been carried out. The obtained results can be used in further research to optimize the design of semiconductor structures of such devices.