Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Silicon carbonitride layers deposited on titanium and polyurethane by PACVD method

Tytuł:
Silicon carbonitride layers deposited on titanium and polyurethane by PACVD method
Autorzy:
Konefał-Góral, J.
Małek, A.
Kluska, S.
Jastrzębski, W.
Zimowski, S.
Jonas, S.
Lis, J.
Data publikacji:
2013
Słowa kluczowe:
PACVD
silicon carbonitride layers
tribology
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
This work reports the results concerning formation and tribological properties of SiCxNy(H) layers deposited on Ti Grade 2 and polyurethane foil. Depending on the substrate, two variants of PACVD were used. The SiCxNy(H) layers on titanium were deposited with application of MWCVD (2.45 GHz, 2 kW). The layers on polyurethane were deposited using RFCVD (13.56 MHz, 400 W). Good adhesion between the SiCxNy(H) layers and polymeric foil was achieved by formation of a transitional C:N:H layer and incorporating Si gradient into the structure of the SiCxNy(H) layer. The chemical composition of the layers was tailored by precise control of the gaseous precursors ratios: [SiH4]/[NH3], [SIH4]/[NH3]/[CH4], [SiH4]/[CH4] or [SiH4]/[N2]/[CH4]. The structure and chemical composition of the obtained layers were subjected to further studies (FTIR, SEM/EDS). The roughness, friction coefficient and wear resistance were also measured. The results show that SiCxNy(H) layers offer attractive tribological properties which make them good candidates for various applications, including biomedical devices.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies