Tytuł pozycji:
The measurement of the diffusion coefficient of oxygen ions in the YBa2Cu3O7-x layer of the electro-resistance memory
The paper attempts to determine the chemical diffusion coefficient of oxygen ions in the thin YBa2Cu3O7-x layer of the electro-resistance memory at room temperature. The measurement method was based on the assumption that in the process of switching the sample resistance by means of current pulses there is a stage of diffusion of oxygen ions in the layer of finite thickness from the source located at its surface. This layer is the oxygen depleted layer at the electrode. Its thickness was determined empirically from the amplitude characteristics of the resistive states, while the diffusion time constant was obtained from measurements of the resistance relaxation curves. The value of 5.5 • 10-18m2/s of the oxygen diffusion coefficient in YBa2Cu3O7-x obtained in this paper is in the order of magnitude consistent with the literature data obtained under similar conditions.
W pracy podjęto próbę wyznaczenia współczynnika dyfuzji chemicznej jonów tlenu w cienkiej warstwie YBa2Cu3O7-x pamięci elektrorezystancyjnej w temperaturze pokojowej. Metodę pomiaru oparto na założeniu, że w procesie przełączania rezystancji próbki za pomocą impulsów prądowych występuje etap dyfuzji jonów tlenu w warstwie o skończonej grubości ze źródła zlokalizowanego przy jej powierzchni. Warstwą tą jest przyelektrodowa warstwa zubożona w tlen. Jej grubość wyznaczono doświadczalnie z charakterystyk amplitudowych stanów rezystancyjnych, natomiast stałą czasową dyfuzji otrzymano z pomiarów przebiegów relaksacji rezystancji. Otrzymana w pracy wartość 5,5•10-18 m2/s współczynnika dyfuzji jonów tlenu w YBa2Cu3O7-x jest co do rzędu wielkości zgodna z danymi literaturowymi uzyskanymi w podobnych warunkach.
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).
