Tytuł pozycji:
Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors
The work presents the power electronics controlled voltage source (VCVS) with a modified sigma-delta modulator (SDM) in the control section. The modulator includes an analog comparator with dynamic hysteresis instead of a latched comparator, being typically used in single-bit SDMs. Thank to this feature a resolution of the SDM output signal is, theoretically, unlimited. Due to very high frequency of the SDM output bit stream in the power stage of VCVS the GaN transistors are used. Planned field of application of the converter is an Automated Test Equipment (ATE). In the work the converter’s operation basics and selected results of its simulation model studies are presented.
W pracy zaprezentowano energoelektroniczne sterowane źródło napięcia ze zmodyfikowanym modulatorem sigma-delta w bloku sterowania. Modulator zawiera komparator z dynamiczną pętlą histerezy zamiast, typowo stosowanego, komparatora „zatrzaskowego”. Dzięki temu rozdzielczość sygnału wyjściowego modulatora jest, teoretycznie, nieskończona. Z powodu znacznej wartości częstotliwości strumienia bitowego na wyjściu modulatora, w bloku wykonawczym użyto tranzystorów GaN. Planowanym polem zastosowań źródła napięcia jest sprzęt do testowania urządzeń elektrycznych dużej mocy. W pracy przedstawiono zasadę działania źródła oraz przedstawiono wybrane wyniki badań jego modelu symulacyjnego.
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).
