Tytuł pozycji:
Badania quasi – rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Artykuł opisuje badania sprawności dwufazowego przekształtnika DC/DC boost ZVS. W układzie zastosowano trzy warianty zaworów: tranzystorów i diod Si, wariant mieszany – tranzystory SiC MOSFET i diody Si, oraz wariant „full SiC” z tranzystorami SiC MOSFET i diodami SiC Schottky. Średnio uzyskano wzrost sprawności o około 7 punktów procentowych po zastosowaniu SiC MOSFET i wzrost o dalsze 0,9 p.p. po wprowadzeniu diod SiC.
The paper presents results of efficiency measurement of a 600 kHz interleaved, zero-voltage switching, two-phase boost converter. Three sets of semiconductor devices were used: silicon MOSFETs and diodes, SiC MOSFETs and Si diodes, and a “full SiC” set with SiC MOSFETs and SiC diodes. On average efficiency had risen nearly 7 percentage points after implementing SiC MOSFETs and a further 0,9 p.p. increase was recorded after using SiC Schottky diodes.
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).
