Optymalizacja układu sterującego w rezonansowym wzmacniaczu w.cz. klasy E

W referacie omówiono procesy komutacji w tranzystorowym kluczu MOSFET w rezonansowym wzmacniaczu klasy E sterowanym w bramce przebiegiem prostokątnym. Przeprowadzone symulacje oraz rezultaty pomiarów wzmacniacza doświadczalnego o mocy wyjściowej PO = 14W i częstotliwości pracy fp = 10 MHz wskazują, że pojemności własne tranzystora, a w szczególności pojemność CGD istotnie wpływają na osiągnięcie przełączania typu ZVS i straty komutacyjne w praktycznym układzie. Otrzymane wyniki badań pozwalają na lepsze dopasowanie bramkowego układu sterującego do parametrów wzmacniacza i zastosowanego klucza tranzystorowego.

---

In the paper switching losses in a Class E amplifier with a MOSFET transistor switch driven with a rectangle wave are disscussed. Simulation and measurement results for the Class E amplifier operating at fp= 10 MHz with output power PO= 14 W have shown that the transistor's internal capacitances and CGD in particular have major influence on the circuit operation in ZVS mode and its switching losses. Obtained results allow optimizing the gate driver by minimizing its cost while maintaining high efficiency of the amplifier.

---

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).