Efekty zastosowania elementów półprzewodnikowych SiC w przekształtnikach pojazdów trakcyjnych

Obecnie producenci komponentów energoelektronicznych starają się wprowadzić do swoich produktów węglik krzemu (SiC) a tranzystory MOSFET wykonane w tej technologii są dostępne na rynku. Charakteryzują się one znacznie wyższą częstotliwością pracy sięgającą nawet 100 kHz i niskimi stratami przełączania. Zastosowanie tego typu elementów powoduje powstanie wysokich stromości napięcia na wyjściu falownika, co może prowadzić do wzrostu zakłóceń elektromagnetycznych falownika. W artykule są przedstawione wyniki badań i analiz wysokiej częstotliwości, które umożliwiają wstępną ocenę zastosowania tranzystorów SiC w układzie falownika w zakresie EMC.

---

At present manufacturers of energy-electronic components try to introduce in their products silicon carbide (SiC) technology and transistors MOSFET made in this technology are available on the market. They characterize by much higher work frequency, reaching even 100 kHz and low switching losses. Application of this type elements causes high voltage gradients at inverter output, what can lead to increase of inverter’s electromagnetic disturbances. Test results and high-frequency analysis, allowing initial evaluation of using SiC transistors in inverter’s structure in EMC range, are presented in the article.