Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.
Celem badania było zastosowanie spektroskopii impedancyjnej do pomiaru impedancji w szerokim przedziale częstotliwości. Z założenia zjawiska fizyczne, zachodzących w materiałach półprzewodnikowych, możliwe są do zinterpretowania w spektroskopii impedancyjnej jako elementy obwodów elektrycznych o odpowiednich stałych czasowych. Stąd możliwa jest reprezentacja widm impedancyjnych za pomocą tzw. obwodów zastępczych. Zjawiska fizyczne (dyfuzja czy rekombinacja w półprzewodnikach) zachodzą niezależnie od siebie z różną szybkością co ma odzwierciedlenie w zależności odpowiedź układu od czasu co umożliwia ich identyfikację i analizę.
Dane zawierają wyniki badań dla cienkich warstw PCPDTBT, PDPP4T, ich mieszanin oraz ich nanokompozytów zawierających nanocząstki Au (o udziale masowym 2%).
Dane zawierają po 4 dokumenty tekstowe dla każdego badanego materiału do wygenerowania wykresów dopasowania obwodów zastępczych widm impedancji uzyskanych dla warstw tj. wykres w płaszczyźnie zespolonej (Nyquista) oznaczony jako n, zależność przesunięcia fazowego na częstotliwości (wykres Bodego) oznaczony jako bn oraz intensywność (faza Bodego) bp oznaczonego jako bp oraz dopasowanie cyklu elektrochemicznego -el. Badania wykonane zostały w elektrolicie NaCl o stężeniu 3,5% w temperaturze 25 st. C. Wykres Nyquista może być interpretowany w celu określenia natury badanych zjawisk np. rodzaj dyfuzji ładunków elektrycznych, nieprzewidzianą reakcję elektrodową. Z wykresu Bodego ustala się liczbę elementów i zakres częstotliwości, przy których zachodzą.
