Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electronic Band Structure of Ru₃Sn₇

Tytuł:
Electronic Band Structure of Ru₃Sn₇
Autorzy:
Sahakyan, M.
Tran, V.
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.15.Ap
31.15.A-
74.20.Pq
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 303-305
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The first-principle band structure calculations for Ru₃Sn₇ and Mo₃Sb₇ were carried out using the full-potential linearized muffin tin orbital method. It was shown that the valence band contribution is mainly due to the 4d electrons of Ru(Mo), while the contribution from the 5p-Sn(Sb) orbitals is relatively small. Furthermore, the 4d and 5p orbitals located near the Fermi level have the non-hybridized characters, thus presumably contributing independently to the total density of states. A comparison of the density of states of two compounds reveals an essential difference in the structures and magnitudes. We estimated the mass enhancement factor and Stoner product and discussed these differences regarding to electronic and magnetic behaviour of these compounds.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies