Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Critical Currents of Bismuth 1G Tape

Tytuł:
Critical Currents of Bismuth 1G Tape
Autorzy:
Woch, W.
Zalecki, R.
Chrobak, M.
Kołodziejczyk, A.
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.72.-h
74.25.F-
74.25.Ha
74.25.Sv
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 315-317
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The critical currents of commercial bismuth based superconducting tape were determined in the two ways. In the first one the transport critical current density was measured by the four points method using the dc current power supply at the liquid nitrogen temperature. In the second one the critical current densities were obtained from the absorption part of ac susceptibility measurements using the Bean model near the critical temperature. The temperature dependence of the critical current densities was fitted to take advantage of the Ginzburg-Landau strong-coupling limit approach. Using the fit parameters the critical current density at 77 K was calculated. The critical temperature of this tape ($T_{c}$= 110.5 K) was determined from the ac susceptibility measurements.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies