Tytuł pozycji:
Reducing Leakage Power for SRAM Design Using Sleep Transistor
- Tytuł:
-
Reducing Leakage Power for SRAM Design Using Sleep Transistor
- Autorzy:
-
Khandelwal, S.
Akashe, S.
Sharma, S.
- Data publikacji:
-
2013-02
- Wydawca:
-
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
85.40.-e
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 185-187
0587-4246
1898-794X
- Język:
-
angielski
- Prawa:
-
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Dostawca treści:
-
Biblioteka Nauki
-
Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Low power design is the industry buzzword these days in present chip design technologies. Caches occupy around 50% of the total chip area and consume considerable amount of power. This project's focus is to reduce leakage power consumption of an 8 kbit SRAM by employing techniques like power gating. The main technique used in power gating is the use of sleep transistor. In our design we have chosen a stack-based implementation.