Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Intrinsic Spin Hall and Spin Nernst Effects in Single-Layer Graphene: Tight-Binding vs. Effective Model

Tytuł:
Intrinsic Spin Hall and Spin Nernst Effects in Single-Layer Graphene: Tight-Binding vs. Effective Model
Autorzy:
Dyrdał, A.
Barnaś, J.
Data publikacji:
2012-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.43.-f
72.25.Hg
73.61.Wp
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 5-6; 1198-1200
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We calculate topological contributions to the spin Hall and spin Nernst effects due to intrinsic spin-orbit interaction in a single-layer graphene. To describe electronic spectrum of the graphene we have assumed the k·p model as well as the full tight-binding Hamiltonian. The corresponding contributions to the spin Hall and spin Nernst effects have been determined using the linear response theory and Green function formalism.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies