Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Field Ionization of Shallow Acceptors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Field Ionization of Shallow Acceptors
Autorzy:: Dargys, A.
Žurauskas, S.
Žurauskienė, N.
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.70.Ej
73.20.Hb
79.70.+q
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 629-632
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Experimental studies on hole tunneling from the substitutional boron impurity into degenerate valence band of silicon single crystals are presented. The results are interpreted within the framework of acceptor ground state quartet splitting into the Kramers doublet due to presence of random strains and electric field in the lattice.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Field Ionization of Shallow Acceptors