Model of Hopping between Deep Centers in Low Temperature GaAs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Model of Hopping between Deep Centers in Low Temperature GaAs
Autorzy:: Korona, K. P.
Kamińska, M.
Baranowski, J. M.
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.50.+t
72.80.Ey
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 337-340
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

A model explaining hopping conductivity via EL2 deep centers in low temperature GaAs is presented. It is proposed that the wave function of the EL2 center consists of a localized part and of an external one. The model can describe such features as large wave function radius of hopping centers, changes of the conductivity during transition of EL2 to the metastable state and a high potential fluctuation amplitude.

Informacja

Model of Hopping between Deep Centers in Low Temperature GaAs