GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

Szczegóły
Opis

Tytuł:: GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:: Bożek, R.
Babiński, A.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Klusek, Z.
Olejniczak, W.
Starowieyski, K.
Wróbel, J.
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.15.Gh
68.55.-a
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 974-976
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We report metaloorganic chemical vapour deposition growth of an anisotropic GaSb islands on GaAs (001) surface with a typical dimensions around 200 nm. Results of investigations employing scanning electron microscope, scanning tunnelling microscope and ph9tocapacitance are presented.

Informacja

GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition