Substrate-Induced Strain in Epitaxial Lead Chalcogenides by Galvanomagnetic Effect Rotational Dependence

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Substrate-Induced Strain in Epitaxial Lead Chalcogenides by Galvanomagnetic Effect Rotational Dependence
Autorzy:: Berchenko, N. N.
Dobriansky, O. A.
Korovin, A. V.
Nikiforov, A. Yu.
Yakovyna, V. S.
Zogg, H.
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.80.Jc
72.20.My
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 715-718
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

On the example of the PbTe and Pb$\text{}_{0.77}$Sn$\text{}_{0.23}$Te on BaF$\text{}_{2}$ the possibility of using the weak magnetic field resistance technique for the evaluation of mismatch-thermally induced strains in semiconductors with multivalley band structure is discussed.

Informacja

Substrate-Induced Strain in Epitaxial Lead Chalcogenides by Galvanomagnetic Effect Rotational Dependence