Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Morphology and Optical Properties of Laser-Assisted Chemical Vapour Deposited GaN

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Morphology and Optical Properties of Laser-Assisted Chemical Vapour Deposited GaN
Autorzy:: Goldys, E. M.
Godlewski, M.
Tansley, T. L.
Data publikacji:: 1998-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.-a
81.15.Gh
61.16.Ch
78.30.-j
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 331-335
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Properties of GaN epilayers grown by laser-assisted chemical vapour deposition are discussed. Good crystallinity and surface morphology of the films is demonstrated. Micro-Raman spectra are explained by scattering by small, randomly oriented cubic phase units present in the GaN film.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Morphology and Optical Properties of Laser-Assisted Chemical Vapour Deposited GaN