Carriers Diffusion in GaAs/AlAs Type II Quantum Well

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Carriers Diffusion in GaAs/AlAs Type II Quantum Well
Autorzy:: Lesiak, A.
Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Potemski, M.
Stępniewski, R.
Thierry-Mieg, V.
Data publikacji:: 2005-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.66.Fd
78.67.Hc
75.75.+a
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 755-760
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The micro-photoluminescence of GaAs/AlAs type II double quantum well structure is presented. The specific band alignment of the investigated system allows obtaining high concentration of long lived carriers. This enables us to study diffusion of carriers and/or indirect excitons. It was found that the carrier flow does not follow the classical diffusion equation and is driven by the potential modification due to the presence of photo created carriers.

Informacja

Carriers Diffusion in GaAs/AlAs Type II Quantum Well