Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Characteristics and Applications of Silicon Carbide Power Devices in Power Electronics

Tytuł:
Characteristics and Applications of Silicon Carbide Power Devices in Power Electronics
Autorzy:
Kondrath, N.
Kazimierczuk, M. K.
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide (SiC)
SiC properties
high voltage
high-temperature
high-frequency applications
high-temperature electronics
wide energy band-gap semiconductors
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 231-236
2300-1933
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Silicon carbide materials, with its high mechanical strength, high thermal conductivity, ability to operate at high temperatures, and extreme chemical inertness to most of the electrolytes, are very attractive for high-power applications. In this paper, properties, advantages, and limitations of SiC and conventional Si materials are compared. Various applications, where SiC power devices are attractive, are discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies