On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs
Autorzy:: Ortiz-Conde, A.
Garcia Sánchez, F.J.
Liou, J.J.
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: threshold voltage
channel length
series resistance
parameter extraction
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 43-58
1509-4553
1899-8852
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The first part of this article presents the modeling of the long-channel bulk MOSFET as a particular case of the SOI MOSFET. The second part reviews compares and scrutinizes various methods to extract the threshold voltage, the effective channel and the individual values of drain and source resistances. These are important device parameters for modeling and circuit simulation.

Informacja

On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs