Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract
Autorzy:: Szerling, A.
Kosiel, K.
Płuska, M.
Ochalski, T. J.
Ratajczak, J.
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Źródło:: Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 6; 1-5
1897-2381
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The paper is devoted to a group of macroscopic defects which may be found in epitaxial A³ B⁵ materials grown by MBE technique. Morphology, geometry and optical properties of defects were studied by means of several experimental methods. The experimental data have been compared with the information taken from literature concerning sources of the defects and causes of their appearance.

Informacja

Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract