Tytuł pozycji:
Polarization of organic aromatic molecule in anionic and cationic state
The modification of electron states and the change in the geometry of the structure of molecule during hopping transport of charge carriers depends on the symmetry of the molecule. During electric transport the molecule reversibly transforms from neutral state to cation when hole conductivity occurs or to anion when electron conductivity occurs. The energies of orbitals HOMO and HOMO-1 of anthrone and anthrachinone are always negative, what allows for holes transport. Positive energies of LUMO and LUMO+1 orbitals of anion of anthrone and anthraquinone in structure of anion or neutral molecule make electron transport difficult.
Wyniki obliczeń jednoznacznie wskazują na dużą stabilność kationów
antrachinonu i antronu. Realizacja przewodnictwa dziur jest w tej sytuacji
możliwa dla obu materiałów. Wysoka dodatnia wartość poziomów LUMO i LUMO+1 dla antrachinonu powyżej 1,8 eV nie pozwala na uzyskanie
stabilnego przewodzenia elektronów w fazie stałej antrachinonu. Jednak ujemna
wartość poziomu HOMO dla anionu pozwala na przejście cząsteczki w fazie
stałej do podstawowego poziomu anionu w stanie jonizacji +1. Pozwala to na
wykorzystanie antrachinonu w postaci fazy stałej dla potrzeb technologii
wykorzystującej środowisko elektrochemiczne. Wysoka wartość dodatnia
poziomów HOMO oraz LUMO i LUMO +1 dla anionu antronu utrudnia
uzyskanie efektywnego przewodzenia elektronów dla zastosowań w technologii
elektroniki organicznej. Jednak dzięki posiadaniu podstawnika, własności
anionu antronu są korzystniejsze dla zastosowań niż własności anionu
niepodstawionego antracenu. Pomimo podobieństwa cząsteczek i struktur,
w jakich krystalizują, występuje znacząca różnica w wartości przerwy
energetycznej Eg pomiędzy antronem i antrachinonem. Uzyskane wyniki
wskazują na inne obszary możliwych zastosowań antrachinonu i antronu
w elektronice organicznej. Wysoka wartość energii przerwy zabronionej może
być korzystna dla zastosowań obu materiałów do wytwarzania warstw aktywnych
w komórkach słonecznych, gdzie wymagana jest wysoka rezystywność ze względu
na konieczność rozdziału generowanych ładunków.