Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Excitons in a GaAs film on AlₓGa₁₋ₓAs influenced by the thickness of the substrate

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Excitons in a GaAs film on AlₓGa₁₋ₓAs influenced by the thickness of the substrate
Autorzy:: Wu, Zhenhua. Autor
Współwytwórcy:: Chen, Lei (fizyk). Autor
Tian, Qiang (fizyk). Autor
Data publikacji:: 2018
Tematy:: Analiza numeryczna
Wymiar fraktalny
Cienkie warstwy (technika)
Ekscytony
Arsenek galu
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

artykuł z czasopisma naukowego

artykuł z czasopisma fizycznego

Bibliografia na stronie 1162.

artykuł problemowy

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Excitons in a GaAs film on AlₓGa₁₋ₓAs influenced by the thickness of the substrate