Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Deep donor levels in semiconductors with vacancies in the anion sublattice

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Deep donor levels in semiconductors with vacancies in the anion sublattice
Współwytwórcy:: Bashirov, R. R. Autor
Daunov, M. I. Autor
Gajiev, G. M. Autor
Data publikacji:: 2020
Tematy:: Strefa Brillouina
Struktura elektronowa
Półprzewodniki
Ciśnienie hydrostatyczne
Defekty struktury krystalicznej
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

artykuł z czasopisma fizycznego

artykuł problemowy

artykuł z czasopisma naukowego

Bibliografia na stronach 383-384.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Deep donor levels in semiconductors with vacancies in the anion sublattice