Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), ²09Bi(710 MeV) and ²³8U (1300 MeV) swift ions

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), ²09Bi(710 MeV) and ²³8U (1300 MeV) swift ions
Współwytwórcy:: Vlasukova, L. A.
Hofman, Andrzej
Komarov, Fadej F. (1945- )
Wilczyńska, Teresa
Wiśniewski, Roland
Gračeva, Evgenâ A.
Didyk, A. Û.
Ûvčenko, Vera N.
Data publikacji:: 2008
Tematy:: Jony - fizyka
Monokryształy - fizyka
Półprzewodniki - fizyka
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), ²09Bi(710 MeV) and ²³8U (1300 MeV) swift ions