Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

A comparison of the valence band structure of bulk and epitaxial GeTe-based diluted magnetic semiconductors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: A comparison of the valence band structure of bulk and epitaxial GeTe-based diluted magnetic semiconductors
Autorzy:: Pietrzyk, M. A.
Współwytwórcy:: Slynko, V. E.
Orlowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Dobrowolski, W.
Johnson, R. L.
Story, T.
Knoff, W.
Slynko, E. I.
Data publikacji:: 2010
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały konferencyjne: "The 8th National Meeting of Synchrotron Radiation Users", Podlesice.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

A comparison of the valence band structure of bulk and epitaxial GeTe-based diluted magnetic semiconductors