Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Temperature dependence of photoluminescence from epitaxial InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral aspect ratio

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Temperature dependence of photoluminescence from epitaxial InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral aspect ratio
Autorzy:: Musiał, A.
Współwytwórcy:: Höfling, S.
Reithmaier, J. P.
Podemski, P.
Löffler, A.
Forchel, A.
Sęk, G.
Reitzenstein, S.
Misiewicz, J.
Maryński, A.
Data publikacji:: 2011
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały konferencyjne: "The 40th 'Jaszowiec' International School and Conference on the Physics of Semiconductors", Krynica-Zdrój.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Temperature dependence of photoluminescence from epitaxial InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral aspect ratio